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与电阻温度计相比，热电偶温度计能测更高的温度。1同型热电偶偶丝越细、越长，则输出电势越高。1压力表的检定一般分增压检定(正行程)和降压检定(反行程)，并且在每一检定点上要进行轻敲，前后示值检定。1压力表不必垂直。1用差压法测液位，启动变送器时应先打平衡阀和正负压阀中的一个阀，然后关闭平衡阀，启另一个阀。1差压式液位计的位置可以在液位之上。1气法测量液位，敞口容器和闭口容器都适用。

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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。如果被配置成输入口，并且上下拉使能的话，那么写数据寄存器就是配置上下拉电阻，而读数据寄存器就是读输入引脚的缓冲器，返回的是该引脚的当前电平状况。有些会有专门的状态寄存器，无论当前引脚被配置成输入还是输出，读该专门的状态寄存器都返回该引脚的当前电平状况。引脚的BOOTstate是指在上电重启或硬重启时引脚的状态，resetrelease之后的状态为resetstate，resetstate和state有可能不一样。因为HB型为方形，其对角线为42mm以上，而且转子为 磁铁，PM型为便宜的铁氧体磁铁，HB为钕铁硼磁铁，极对数相同，且PM型的气隙比HB型大3倍以上，故转矩差如此之大也是必然。关于转速和电气时间常数（线圈电感除以电阻之值）的差异，仅供参考。此种PM型步进电机的特点为价格便宜。从成本角度分析如下。PM型转子通常使用铁氧体磁铁等低成本材料，轴承使用金属滑动轴承(Sleevemetal），导磁材料使用电工钢板，从材料费方面考虑到低成本的设计。如有可能，接100uF以上的更好。原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1~10pF的但电容。对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如RAM、ROM存储器件，应在芯片的电源线和地线之间直接接入退藕电容。电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应注意以下两点：在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时，操作它们时均会产生较大火花放电，使用RC电路来吸收放电电流。