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三态R-S锁存触发器C044B。内部电路结构与引脚功能见下图。图CD4044B三态R-S锁存器将基本的R-S触发器加以改造，如在输出侧增设传输关，就可得到具有三态传输功能的R-S触发器。从其内部电路结构可看出，a)增加了EN使能控制端，高电平为通态，低电平为关态；b)增加了受控输出级，为三态输出模式，当EN端为低电平时，输出级相对于外部电路，为高阻态。从检修角度出发，我们需要注意的着重点是在线如何确定芯片好坏，并找到（引脚功能、尺寸适宜的）替代元件。过载保护过载保护原理可简单表述如下：设电路允许的通过电流为Imin，电流为Imax，保护的器件电流为I，I2表示在规定时间范围内，保护器件有效工作的电流，那么我们可得出公式Imax≤I≤Imin1）I2≤1.45Imin2）值得注意的是，多种因素都会对电流产生一定的影响，如温度、多芯电缆、机床设备的密度等，因此要想机床设备正常工作，必须要确保通过保护器件的电流大于电流，并在大于电流时执行保护。暖启动过程映像数据以及非保持的存储器位、定时器和计数器被复位。具有保持功能的存储器位、定时器、计数器和所有的数据块将保留原数值，执行一个OB100后，循环执行OB1，将模式选择关从STOP切换到RUN，执行一次暖启动。热启动：400CPU在RUN模式下电源突然丢失，很快又重新上电，将执行OB101，自动完成热启动，从上次RUN模式结束时程序被中断之处继续执行，不对计数器等复位。冷启动：所有系统存储区均被，即复位为零，包括有保持功能的存储区。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。